Suchergebnisse - Kurak, V.V.

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    Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев von Andronova, О. V., Kurak, V. V.

    Veröffentlicht 2008
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    Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb von Andronova, E. V., Baganov, Ye. A., Kurak, V. V.

    Veröffentlicht 2011
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    Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки von Maronchuk, I. E., Kurak, V. V., Andronova, E. V., Baganov, E. A.

    Veröffentlicht 2003
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    Change of parameters of semiinsulated undoped GaAs nonstoichiometric crystals under annealing von Shutov, S.V., Shtan’ko, A.D., Kurak, V.V., Litvinova, M.B.

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  5. 5
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    Radiative recombination through EL2 centers in selenium and cadmium single crystals doped gallium arsenide von Litvinova, M.B., Shutov, S.V., Shtan`ko, A.D., Kurak, V.V.

    Veröffentlicht in Functional Materials (2006)
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  6. 6
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    Obtaining heterostructures with quantium dots for sensors by using liquid phase epitaxy von Maronchuk, I.E., D’yachenko, A.M., Minailov, A.I., Kurak, V.V., Chorny, I.V.

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