Результати пошуку - Kurbanov, K.R.
- Показ 1 - 2 результатів із 2
-
1
-
2
Effect of internal electrical field on compositional dependence of p-n junction depth in ion milled p-CdxHg₁₋xTe за авторством Izhnin, I.I., Bogoboyashchyy, V.V., Kurbanov, K.R., Mynbaev, K.D., Ryabikov, V.M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2005)Отримати повний текст
Стаття