Результати пошуку - Kurilo, I.V.
- Показ 1 - 3 результатів із 3
-
1
Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии... за авторством Voronin, V. A., Guba, S. K., Kurilo, I. V.
Опубліковано 2010Отримати повний текст
Стаття -
2
Химическое осаждение из газовой фази гетеро- и наноструктур соединений III–V за авторством Voronin, V. A., Guba, S. K., Kurilo, I. V.
Опубліковано 2008Отримати повний текст
Стаття -
3
Distribution of components in epitaxial graded band gap heterostructures Cd(Mn, Zn)Te – Cd(Mn, Zn)HgTe and their photoelectrical properties за авторством Vlasenko, O.I., Babentsov, V.M., Vlasenko, Z.K., Ponedilok, A.V., Kurilo, I.V., Rudyj, I.O., Kremenitskiy, V.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (1998)Отримати повний текст
Стаття
Інструменти для пошуку:
Пов'язані теми
chloride-hydride epitaxy
прямоточный горизонтальный реактор
хлорид-гидридная эпитаксия
III-V compounds
III–V compounds
bipolar transistor
direct-flow horizontal reactor
field effect transistor with a Schottky barrier
heterostructure
horizontal continuous-flow reactor
nanostructure
биполярный транзистор
гетероструктура
наноструктура
полевой транзистор с барьером Шоттки
соединения III-V
соединения III–V