Харвестер відкритої науки НАН України

Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии...

за авторством Voronin, V. A., Guba, S. K., Kurilo, I. V.
Опубліковано 2010

Distribution of components in epitaxial graded band gap heterostructures Cd(Mn, Zn)Te – Cd(Mn, Zn)HgTe and their photoelectrical properties

за авторством Vlasenko, O.I., Babentsov, V.M., Vlasenko, Z.K., Ponedilok, A.V., Kurilo, I.V., Rudyj, I.O., Kremenitskiy, V.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (1998)