Харвестер відкритої науки НАН України

Investigations of physical mechanisms of metal-insulator transition in highly strained n-Si and n-Ge crystals

за авторством Budzulyak, S.I., Ermakov, V.M., Kyjak, B.R., Kolomoets, V.V., Machulin, V.F., Novoselets, M.K., Panasjuk, L.I., Sus', B.B., Venger, E.F.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2003)