Харвестер відкритої науки НАН України

Optical study of thermally induced phase separation in evaporated SiOx films

за авторством Indutnyy, I.Z., Lisovskyy, I.P., Mazunov, D.O., Shepeliavyi, P.E., Rudko, G.Yu., Dan'ko, V.A.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2004)

Influence of deposition rate and substrate temperature on structure and optical features of NiO thin film

за авторством Oberemok, O.S., Sabov, T.M., Lisovskyy, I.P., Khacevych, I.M., Gudymenko, O.Yo., Nikirin, V.A., Voitovych, M.V.
Опубліковано в: Functional Materials (2016)

Вплив обробки у парах HF на структуру та люмінесцентні властивості поруватих Si/SiОx нанокомпозитів

за авторством Dan’ko, V.A., Zlobin, S.O., Indutnyi, I.Z., Lisovskyy, I.P., Litovchenko, L.G., Michailovska, K.V., Shepeliavyi, P.E.
Опубліковано 2025

Controlling the photoluminescence spectra of porous nc-Si–SiOx structures by vapor treatment

за авторством Dan’ko, V.A., Bratus, V.Ya., Indutnyi, I.Z., Lisovskyy, I.P., Zlobin, S.O., Michailovska, K.V., Shepeliavyi, P.E.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2010)

Effect of low-temperature annealing on light-emitting properties of na-Si/SiOx porous nanocomposite films

за авторством Lisovskyy, I.P., Litovchenko, V.G., Zlobin, S.O., Voitovych, M.V., Khatsevich, I.M., Indutnyy, I.Z., Shepeliavyi, P.E., Kolomys, O.F.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2011)

Electron field emission from SiOx films

за авторством Evtukh, А.А., Indutnyy, I.Z., Lisovskyy, I.P., Litvin, Yu.M., Litovchenko, V.G., Lytvyn, P.M., Mazunov, D.O., Rassamakin, Yu.V., Shepeliavyi, P.E.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2003)