Analysis of luminescence method applicability for determination of Cd₁₋xZnxTe composition за авторством Glinchuk, K.D., Litovchenko, N.M., Strilchuk, O.N.

Отримати повний текст

Capture coefficients of free excitons by shallow acceptors and donors in gallium arsenide за авторством Glinchuk, K.D., Litovchenko, N.M., Strilchuk, O.N.

Отримати повний текст

On the origin of 300 K near-band-edge luminescence in CdTe за авторством Glinchuk, K.D., Litovchenko, N.M., Strilchuk, O.N.

Отримати повний текст

About influences of different actions on spectra of impurity photoluminescence in GaAs за авторством Litovchenko, N.M., Prokhorovich, A.V., Strilchuk, O.N.

Отримати повний текст

Stimulated by heating-up changes of lux-brightness characteristics of semi-in sulating speciallyundoped GaAs crystals за авторством Litovchenko, N.M., Prokhorovich, A.V., Strilchuk, O.N.

Отримати повний текст

Екситоннi характеристики InxGa1-xAs-GaAs гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах за авторством Litovchenko, N. M., Korbutyak, D. V., Strilchuk, O. M.

Отримати повний текст

Analysis of luminescence method for determination of Cd₁₋xZnxTe composition за авторством Glinchuk, K.D., Litovchenko, N.M., Prokhorovich, A.V., Strilchuk, O.N.

Отримати повний текст