Екситоннi характеристики InxGa1-xAs-GaAs гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах

за авторством Litovchenko, N. M., Korbutyak, D. V., Strilchuk, O. M.
Опубліковано 2018

About influences of different actions on spectra of impurity photoluminescence in GaAs

за авторством Litovchenko, N.M., Prokhorovich, A.V., Strilchuk, O.N.
Опубліковано 2001

Stimulated by heating-up changes of lux-brightness characteristics of semi-in sulating speciallyundoped GaAs crystals

за авторством Litovchenko, N.M., Prokhorovich, A.V., Strilchuk, O.N.
Опубліковано 2001

Analysis of luminescence method applicability for determination of Cd₁₋xZnxTe composition

за авторством Glinchuk, K.D., Litovchenko, N.M., Strilchuk, O.N.
Опубліковано 2003

On the origin of 300 K near-band-edge luminescence in CdTe

за авторством Glinchuk, K.D., Litovchenko, N.M., Strilchuk, O.N.
Опубліковано 2003

Capture coefficients of free excitons by shallow acceptors and donors in gallium arsenide

за авторством Glinchuk, K.D., Litovchenko, N.M., Strilchuk, O.N.
Опубліковано 2003

Analysis of luminescence method for determination of Cd₁₋xZnxTe composition

за авторством Glinchuk, K.D., Litovchenko, N.M., Prokhorovich, A.V., Strilchuk, O.N.
Опубліковано 2005