Результати пошуку автора :: Harvester open publications of NAS Ukraine

1

Mechanisms of forward current transport in p-GaSe-n-InSe heterojunctions за авторством Kovalyuk, Z.D., Makhniy, V.P., Yanchuk, O.I.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2003)

Отримати повний текст

Стаття

2

Perspective of surface modification of CdTe single crystal substrate for creation of photosensitive barrier structures за авторством Makhniy, V.P., Skrypnyk, N.V., Boyko, Yu.N.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2009)

Отримати повний текст

Стаття

3

Defect formation on diffusive layers of ZnSe:Sn and ZnSe:Mg за авторством Gryvul, V.I., Makhniy, V.P., Tkachenko, I.V.

Опубліковано в: Functional Materials (2007)

Отримати повний текст

Стаття

4

Properties of CdSe heterolayers obtained by isovalent substitution on CdTe substrates за авторством Makhniy, V.P., Slyotov, М.М., Tkachenko, I.V., Slyotov, А.М.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2012)

Отримати повний текст

Стаття

5

Surface ZnSe:Ca layers with hole conductivity за авторством Makhniy, V.P., Berezovskiy, M.M., Kinzerska, O.V., Melnyk, V.V.

Опубліковано в: Технология и конструирование в электронной аппаратуре (2019)

Отримати повний текст

Стаття

6

Luminescence of crystals ZnSe 〈Al〉:Gd за авторством Makhniy, V.P., Vakhnyak, N.D., Kinzerska, O.V., Senko, I.M.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2018)

Отримати повний текст

Стаття

7

Влияние морфологии поверхности подложек ZnSe:Te на их оптические свойства за авторством Makhniy, V. P., Herman, I. I., Bodul, G. I., Senko, I. M.

Опубліковано 2016

Отримати повний текст

Стаття

8

Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb за авторством Makhniy, V. P., Kinzerska, O. V., Senko, I. M., Slyotov, O. M.

Опубліковано 2016

Отримати повний текст

Стаття

9

Current flow mechanisms in p-i-n structures based on cadmium telluride за авторством Gorley, P.M., Demych, M.V., Makhniy, V.P., Horvath, Zs.J., Shenderovsky, V.A.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2002)

Отримати повний текст

Стаття

10

Effect of oxidation method of cadmium and zinc chalcogenide substrates on physical properties of CdO and ZnO heterolayers за авторством Makhniy, V.P., Boiko, Yu.N., Skrypnyk, N.V., Slyotov, M.M., Khusnutdinov, S.V.

Опубліковано в: Functional Materials (2009)

Отримати повний текст

Стаття

Результати пошуку - Makhniy, V.P.

Mechanisms of forward current transport in p-GaSe-n-InSe heterojunctions за авторством Kovalyuk, Z.D., Makhniy, V.P., Yanchuk, O.I.

Perspective of surface modification of CdTe single crystal substrate for creation of photosensitive barrier structures за авторством Makhniy, V.P., Skrypnyk, N.V., Boyko, Yu.N.

Defect formation on diffusive layers of ZnSe:Sn and ZnSe:Mg за авторством Gryvul, V.I., Makhniy, V.P., Tkachenko, I.V.

Properties of CdSe heterolayers obtained by isovalent substitution on CdTe substrates за авторством Makhniy, V.P., Slyotov, М.М., Tkachenko, I.V., Slyotov, А.М.

Surface ZnSe:Ca layers with hole conductivity за авторством Makhniy, V.P., Berezovskiy, M.M., Kinzerska, O.V., Melnyk, V.V.

Luminescence of crystals ZnSe 〈Al〉:Gd за авторством Makhniy, V.P., Vakhnyak, N.D., Kinzerska, O.V., Senko, I.M.

Влияние морфологии поверхности подложек ZnSe:Te на их оптические свойства за авторством Makhniy, V. P., Herman, I. I., Bodul, G. I., Senko, I. M.

Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb за авторством Makhniy, V. P., Kinzerska, O. V., Senko, I. M., Slyotov, O. M.

Current flow mechanisms in p-i-n­ structures based on cadmium telluride за авторством Gorley, P.M., Demych, M.V., Makhniy, V.P., Horvath, Zs.J., Shenderovsky, V.A.

Effect of oxidation method of cadmium and zinc chalcogenide substrates on physical properties of CdO and ZnO heterolayers за авторством Makhniy, V.P., Boiko, Yu.N., Skrypnyk, N.V., Slyotov, M.M., Khusnutdinov, S.V.

Інструменти для пошуку:

Пов'язані теми

Current flow mechanisms in p-i-n structures based on cadmium telluride за авторством Gorley, P.M., Demych, M.V., Makhniy, V.P., Horvath, Zs.J., Shenderovsky, V.A.