Харвестер відкритої науки НАН України

Effect of acetone vapor treatment on photoluminescence of porous nc-Si–SiOx nanostructures

за авторством Indutnyi, I.Z., Michailovska, K.V., Min’ko, V.I., Shepeliavyi, P.E.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2009)

Nickel-induced enhancement of photoluminescence in nc-Si–SiOx nanostructures

за авторством Michailovska, K.V., Indutnyi, I.Z., Shepeliavyi, P.E., Dan’ko, V.A.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2014)

Polarization conversion effect in obliquely deposited SiOx films

за авторством Sopinskyy, M.V., Indutnyi, I.Z., Michailovska, K.V., Shepeliavyi, P.E., Tkach, V.M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2011)

Polarization memory of photoluminescence related with Si nanoparticles embedded into oxide matrix

за авторством Michailovska, K.V., Indutnyi, I.Z., Kudryavtsev, O.O., Sopinskyy, M.V., Shepeliavyi, P.E.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2015)

Metal-dielectric black matrix for display devices

за авторством Chang Won Park, Joon-Bae Lee, Young Rag Do, Shepeliavyi, P., Michailovska, K., Indutnyy, I., Kudryavtsev, O.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2000)

Вплив обробки у парах HF на структуру та люмінесцентні властивості поруватих Si/SiОx нанокомпозитів

за авторством Dan’ko, V.A., Zlobin, S.O., Indutnyi, I.Z., Lisovskyy, I.P., Litovchenko, L.G., Michailovska, K.V., Shepeliavyi, P.E.
Опубліковано 2025

Controlling the photoluminescence spectra of porous nc-Si–SiOx structures by vapor treatment

за авторством Dan’ko, V.A., Bratus, V.Ya., Indutnyi, I.Z., Lisovskyy, I.P., Zlobin, S.O., Michailovska, K.V., Shepeliavyi, P.E.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2010)