Scaling laws under quantum Hall effect for a smooth disorder potential за авторством S. V. Gudina, A. S. Klepikova, V. N. Neverov, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin

Отримати повний текст

Anisotropic temperature dependence of normal state resistivity in underdoped region of a layered electron-doped superconductor Nd2–xCexCuO4 за авторством A. S. Klepikova, T. B. Charikova, N. G. Shelushinina, M. R. Popov, A. A. Ivanov

Отримати повний текст

On the question of critical exponents universality in the quantum Hall effect regime за авторством Ju. G. Arapov, S. V. Gudina, E. V. Derjushkina, N. G. Shelushinina, M. V. Jakunin

Отримати повний текст

The estimation of coherence length for electron-doped superconductor Nd2–xCexCuO4+δ за авторством T. B. Charikova, G. I. Harus, N. G. Shelushinina, O. E. Sochinskaya, A. A. Ivanov

Отримати повний текст

The mixed-state Hall conductivity of single-crystal films Nd2–xCexCuO4+δ (x = 0.14) за авторством N. G. Shelushinina, G. I. Harus, T. B. Charikova, D. S. Petukhov, O. E. Petukhova, A. A. Ivanov

Отримати повний текст

Quasiclassical calculations of Landau level spectrum for 20.5-nm-wide HgTe quantum well: "extremum loop” model and effects of cubic symmetry за авторством S. V. Gudina, A. S. Bogolubskiy, V. N. Neverov, K. V. Turutkin, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin

Отримати повний текст

Localization and interference induced quantum effects at low magnetic fields in InGaAs/GaAs structures за авторством A. P. Savelyev, Yu. G. Arapov, S. V. Gudina, V. N. Neverov, S. M. Podgornykh, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin

Отримати повний текст

Plateau–plateau transitions in the quantum Hall regime for a single quantum well heterostructure n-InGaAs/GaAs before and after IR illumination за авторством Ju. G. Arapov, S. V. Gudina, A. S. Klepikova, V. N. Neverov, G. I. Kharus, N. G. Shelushinina, M. V. Jakunin

Отримати повний текст

Doping effect on the evolution of the pairing symmetry in n-type superconductor near antiferromagnetic phase boundary за авторством T. B. Charikova, N. G. Shelushinina, G. I. Harus, V. N. Neverov, D. S. Petukhov, O. E. Petukhova, A. A. Ivanov

Отримати повний текст

Anomalous behavior of the Hall effect in electron-doped superconductor Nd2–xCexCuO4+δ with nonstoichiometric disorder за авторством T. B. Charikova, N. G. Shelushinina, G. I. Harus, V. N. Neverov, D. S. Petukhov, O. E. Sochinskaya, A. A. Ivanov

Отримати повний текст

Temperature dependence of band width of delocalized states for n-InGaAs/GaAs in the quantum Hall effect regime за авторством Ju. G. Arapov, S. V. Gudina, V. N. Neverov, S. G. Novokshonov, A. S. Klepikova, G. I. Kharus, N. G. Shelushinina, M. V. Jakunin

Отримати повний текст

The conditions of longitudinal and Hall conductance critical behavior in quantum Hall regime for heterostructures based on gallium and indium arsenide за авторством A. S. Klepikova, Ju. G. Arapov, S. V. Gudina, V. N. Neverov, G. I. Kharus, N. G. Shelushinina, M. V. Jakunin, B. N. Zvonkov

Отримати повний текст

HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect and the large-scale impurity potential за авторством S. V. Gudina, Yu. G. Arapov, V. N. Neverov, S. M. Podgornykh, M. R. Popov, E. V. Deriushkina, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky

Отримати повний текст

Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure за авторством S. V. Gudina, V. N. Neverov, E. G. Novik, E. V. Ilchenko, G. I. Harus, N. G. Shelushinina, S. M. Podgornykh, M. V. Yakunin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky

Отримати повний текст