Sharp interfaces in p+-AlGaAs/n-GaAs epitaxial structures obtained by MOCVD за авторством N. M. Vakiv, S. I. Krukovskij, Ju. Larkin, Ju. Avksentev, R. S. Krukovskij

Отримати повний текст

Obtaining of bilateral high voltage epitaxial p—i—n Si structures by LPE method за авторством N. M. Vakiv, S. I. Krukovskij, V. R. Timchishin, A. P. Vaskiv

Отримати повний текст