Харвестер відкритої науки НАН України

Recombination of non-equilibrium charge carriers injected into Ge through intermediate defective layer

за авторством Nadtochiy, V., Golodenko, N., Nechvolod, N.
Опубліковано в: Functional Materials (2005)

Periodic structure formation in GaAs near-surface layer by laser beam with diffraction modulated intensity

за авторством Moskal, D., Nadtochiy, V., Golodenko, N.
Опубліковано в: Functional Materials (2006)

Microplasticity of subsurface layers of diamond-like semiconductors under microindentation

за авторством Nadtochiy, V.A., Alyokhin, V.P., Golodenko, M.M.
Опубліковано в: Физика и техника высоких давлений (2005)