Харвестер відкритої науки НАН України

Structural changes in multilayer systems containing InxGa₁₋xAs₁₋yNy quantum wells

за авторством Fodchuk, I.M., Gevyk, V.B., Gimchinsky, O.G., Kislovskii, E.N., Kroytor, O.P., Molodkin, V.B., Olihovskii, S.I., Pavelescu, E.M., Pessa, M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2003)