Кремнієві р-МОН та n-МОН транзистори з одновісно деформованими каналами у нанотехнології електронних приладів... von Gorin, A.E., Gromova, G.V., Ermakov, V.M., Kogoutyuk, P.P., Kolomoets, V.V., Nasarchuk, P.F., Panasjuk, L.I., Fedosov, S.A.

Volltext

Investigations of physical mechanisms of metal-insulator transition in highly strained n-Si and n-Ge crystals von Budzulyak, S.I., Ermakov, V.M., Kyjak, B.R., Kolomoets, V.V., Machulin, V.F., Novoselets, M.K., Panasjuk, L.I., Sus', B.B., Venger, E.F.

Volltext

Thermodonor activation energy and mechanisms of tensoeffects in transmutation-doped y-irradiated silicon von Dotsenko, Yu.P., Ermakov, V.M., Gorin, A.E., Khivrych, V.I., Kolomoets, V.V., Machulin, V.F., Panasjuk, L.I., Prokopenko, I.V., Sus', B.B., Venger, E.F.

Volltext