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Investigation of resistance formation mechanisms for contacts to n-AlN and n-GaN with a high dislocation density von Sachenko, A.V., Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Zhilyaev, Yu.V., Kapitanchuk, L.M., Klad’ko, V.P., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Kuchuk, A.V., Naumov, A.V., Panteleev, V.V., Sheremet, V.N.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2012)Volltext
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