Сценарии организации цифровых трактов для ВЧ-связи по высоковольтным линиям электропередачи von Kuricyn, E. M., Panteleev, V. V.

Volltext

Investigation of resistance formation mechanisms for contacts to n-AlN and n-GaN with a high dislocation density von Sachenko, A.V., Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Zhilyaev, Yu.V., Kapitanchuk, L.M., Klad’ko, V.P., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Kuchuk, A.V., Naumov, A.V., Panteleev, V.V., Sheremet, V.N.

Volltext