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Properties of SiGe/Si heterostructures fabricated by ion implantation technique von Gomeniuk, Y.V., Lysenko, V.S., Osiyuk, I.N., Tyagulski, I.P., Valakh, M.Ya., Yukhimchuk, V.A., Willander, M., Patel, C.J.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (1999)Volltext
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