Результати пошуку - Podlasov, S.A.
- Показ 1 - 2 результатів із 2
-
1
Boron, aluminum, nitrogen, oxygen impurities in silicon carbide за авторством Vlaskina, S.I., Vlaskin, V.I., Podlasov, S.A., Rodionov, V.E., Svechnikov, G.S.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2007)Отримати повний текст
Стаття -
2
Silicon carbide defects and luminescence centers in current heated 6H-SiC за авторством Lee, S.W., Vlaskina, S.I., Vlaskin, V.I., Zaharchenko, I.V., Gubanov, V.A., Mishinova, G.N., Svechnikov, G.S., Rodionov, V.E., Podlasov, S.A.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2010)Отримати повний текст
Стаття