Харвестер відкритої науки НАН України

Малошумящие усилители на основе SiGe-HBT для сверхширокополосных систем

за авторством Popov, V. P., Sidorenko, V. P.
Опубліковано 2013

Temperature dependences of SnTe linear expansion coefficient

за авторством Rogacheva, E.I., Popov, V.P., Nashchekina, O.N.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2002)

Noncontact method of thermal linear expansion coefficient determination for various materials in temperature range 500 to 2500°C

за авторством Borzukh, A.S., Popov, V.P., Savchenko, V.S., Skibina, L.V., Chernik, M.M., Yushchenko, K.A.
Опубліковано в: Functional Materials (2004)

Comparison studies of tile/fiber systems manufactured from Kharkov injection molded and Kuraray SCSN-81 scintillators

за авторством Nemashkalo, A.A., Popov, V.P., Sorokin, P.V., Zatserklyany, A.E., Borisenko, A.Y., Senchishin, V.G.
Опубліковано в: Вопросы атомной науки и техники (2000)

NSC KIPT participation in the CMS (CERN) collaboration

за авторством Levchuk, L.G., Marekhin, S.V., Nemashkalo, A.A., Popov, V.P., Sorokin, P.V., Zatserklianiy, A.E.
Опубліковано в: Вопросы атомной науки и техники (2001)

Spontaneous magnetostriction in the Gd-Y system: analysis of phase transformations

за авторством Beznosov, A.B., Fertman, E.L., Eremenko, V.V., Pal-Val, P.P., Popov, V.P., Chebotayev, N.N.
Опубліковано в: Физика низких температур (2001)

Creation of composite scintillators with a short decay time

за авторством Krech, A.V., Kofanov, D.O., Khromiuk, I.F., Okrushko, O.M., Gerasymov, Ia.V., Karavaeva, N.L., Levchuk, L.G., Popov, V.P., Khabuseva, S.U.
Опубліковано в: Problems of Atomic Science and Technology (2023)

Graphene layers fabricated from the Ni/a-SiC bilayer precursor

за авторством Nazarov, A.N., Vasin, A.V., Gordienko, S.O., Lytvyn, P.M., Strelchuk, V.V., Nikolenko, A.S., Stubrov, Yu.Yu., Hirov, A.S., Rusavsky, A.V., Popov, V.P., Lysenko, V.S.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2013)

Structure perfection variations of Si crystals grown by Czochralski or floating zone methods after implantation of oxygen or neon atoms followed by annealing

за авторством Datsenko, L.I., Auleytner, J., Misiuk, A., Klad'ko, V.P., Machulin, V.F., Bak-Misiuk, J., Zymierska, D., Antonova, I.V., Melnyk, V.M., Popov, V.P., Czosnyka, T., Choinski, J.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (1999)