Результати пошуку - Popov, V. P.
- Показ 1 - 8 результатів із 8
-
1
Малошумящие усилители на основе SiGe-HBT для сверхширокополосных систем за авторством Popov, V. P., Sidorenko, V. P.
Опубліковано 2013Отримати повний текст
Стаття -
2
Temperature dependences of SnTe linear expansion coefficient за авторством Rogacheva, E.I., Popov, V.P., Nashchekina, O.N.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2002)Отримати повний текст
Стаття -
3
Noncontact method of thermal linear expansion coefficient determination for various materials in temperature range 500 to 2500°C за авторством Borzukh, A.S., Popov, V.P., Savchenko, V.S., Skibina, L.V., Chernik, M.M., Yushchenko, K.A.
Опубліковано в: Functional Materials (2004)Отримати повний текст
Стаття -
4
NSC KIPT participation in the CMS (CERN) collaboration за авторством Levchuk, L.G., Marekhin, S.V., Nemashkalo, A.A., Popov, V.P., Sorokin, P.V., Zatserklianiy, A.E.
Опубліковано в: Вопросы атомной науки и техники (2001)Отримати повний текст
Стаття -
5
Comparison studies of tile/fiber systems manufactured from Kharkov injection molded and Kuraray SCSN-81 scintillators за авторством Nemashkalo, A.A., Popov, V.P., Sorokin, P.V., Zatserklyany, A.E., Borisenko, A.Y., Senchishin, V.G.
Опубліковано в: Вопросы атомной науки и техники (2000)Отримати повний текст
Стаття -
6
Spontaneous magnetostriction in the Gd-Y system: analysis of phase transformations за авторством Beznosov, A.B., Fertman, E.L., Eremenko, V.V., Pal-Val, P.P., Popov, V.P., Chebotayev, N.N.
Опубліковано в: Физика низких температур (2001)Отримати повний текст
Стаття -
7
Graphene layers fabricated from the Ni/a-SiC bilayer precursor за авторством Nazarov, A.N., Vasin, A.V., Gordienko, S.O., Lytvyn, P.M., Strelchuk, V.V., Nikolenko, A.S., Stubrov, Yu.Yu., Hirov, A.S., Rusavsky, A.V., Popov, V.P., Lysenko, V.S.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2013)Отримати повний текст
Стаття -
8
Structure perfection variations of Si crystals grown by Czochralski or floating zone methods after implantation of oxygen or neon atoms followed by annealing за авторством Datsenko, L.I., Auleytner, J., Misiuk, A., Klad'ko, V.P., Machulin, V.F., Bak-Misiuk, J., Zymierska, D., Antonova, I.V., Melnyk, V.M., Popov, V.P., Czosnyka, T., Choinski, J.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (1999)Отримати повний текст
Стаття
Інструменти для пошуку:
Пов'язані теми
IHEPNF NSC KIPT in the last decade
low-noise amplifiers
medical UWB radars
resistive feedback
silicon-germanium heterojunction bipolar transistor (SiGe HBT)
ultra-wideband systems (UWB)
Еxperimental methods
СШП-радары медицинского назначения
Специальный выпуск Низкотемпеpатуpная магнитостpикция магнетиков и свеpхпpоводников Под редакцией В. В. Еременко и В. А. Сиренко
кремний-германиевый гетеропереходный биполярный транзистор (SiGe-HBT)
малошумящие усилители
резистивные обратные связи
сверхширокополосные (СШП) системы