Харвестер відкритої науки НАН України

The role of optical phonons in electrons heating by IR radiation in Ge

за авторством Poroshin, V.N., Sarbey, O.G.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2005)

Anisotropy and non-linearity of absorption of an intensive IR light by free electrons in germanium

за авторством Vasetskii, V.M., Ignatenko, V.A., Poroshin, V.N.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2005)

Degenerate four-wave mixing in n-Ge due to intervalley redistribution of hot electrons

за авторством Vasetskii, V.M., Poroshin, V.N., Ignatenko, V.A.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2001)

Ефекти просторового переносу носiїв заряду в гетероструктурах n-AlGaAs/GaAs з дельта-шарами домiшки в бар’єрах...

за авторством Vainberg, V. V., Pylypchuk, A. S., Poroshin, V. N., Sarbey, O. G.
Опубліковано 2018

Stress-induced effects in light scattering by plasmons in p-type germanium

за авторством Poroshin, V.N., Gaydar, A.V., Abramov, A.A., Tulupenko, V.N.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2003)

Дослідження електрофізичних властивостей, фазових діаграм та переносу носіїв заряду в нанопорошках Bi1 – xSmxFeO3...

за авторством Pylypchuk, O.S., Kolupaiev, V.O., Fesych, I.V., Poroshin, V.N., Morozovska, A.N.
Опубліковано 2025