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Харвестер відкритої науки НАН України
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Prokhorovich, A.V.
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Analysis of the near-band-edge luminescence of semiconductors containing isolated and bound shallow acceptors and donors
von
Glinchuk, K.D.
,
Prokhorovich, A.V.
Veröffentlicht in
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
(2002)
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2
About influences of different actions on spectra of impurity photoluminescence in GaAs
von
Litovchenko, N.M.
,
Prokhorovich, A.V.
,
Strilchuk, O.N.
Veröffentlicht in
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
(2001)
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Stimulated by heating-up changes of lux-brightness characteristics of semi-in sulating speciallyundoped GaAs crystals
von
Litovchenko, N.M.
,
Prokhorovich, A.V.
,
Strilchuk, O.N.
Veröffentlicht in
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
(2001)
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