Харвестер відкритої науки НАН України

Hydrogen gettering in annealed oxygen-implanted silicon

за авторством Misiuk, A., Barcz, A., Ulyashin, A., Antonova, I.V., Prujszczyk, M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2010)

Defects in high temperature and high pressure processed Si:N revealed by deuterium plasma treatment

за авторством Misiuk, A., Barcz, A., Ulyashin, A., Prujszczyk, M., Bak-Misiuk, J., Formanek, P.
Опубліковано в: Физика и техника высоких давлений (2010)

Defect structure of Czochralski silicon co-implanted with helium and hydrogen and treated at high temperature - pressure

за авторством Wierzchowski, W., Misiuk, A., Wieteska, K., Bak-Misiuk, J., Jung, W., Shalimov, A., Graeff, W., Prujszczyk, M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2005)

Pressure-induced structural transformations in Si:V and Si:V, Mn

за авторством Misiuk, A., Barcz, A., Chow, L., Bak-Misiuk, J., Romanowski, P., Shalimov, A., Wnuk, A., Surma, B., Vanfleet, R., Prujszczyk, M.
Опубліковано в: Физика и техника высоких давлений (2008)