Харвестер відкритої науки НАН України

Photoluminescent properties of oxidized stochiometric and carbon-rich amorphous Si₁₋xCx:H films

за авторством Vasin, A.V., Ishikawa, Y., Rusavsky, A.V., Nazarov, A.N., Konchitz, A.A., Lysenko, V.S.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2015)

Potentiality of the composite fulleren based carbon films as the stripper foils for tandem accelerators

за авторством Vasin, A.V., Matveeva, L.A., Kozeratskaya, G.N., Rusavsky, A.V., Totsky, Yu.I., Vishnevsky, I.N.
Опубліковано в: Вопросы атомной науки и техники (2001)

Obtaining the radionuclides for medical and biological investigations at the tandem generation

за авторством Vishnevsky, I.N., Totsky, Yu.I., Mozhzhukin, E.N., Katsubo, L.P., Rusavsky, A.V., Garashchenko, F.G., Kharchenko, I.I.
Опубліковано в: Вопросы атомной науки и техники (1999)

Graphene layers fabricated from the Ni/a-SiC bilayer precursor

за авторством Nazarov, A.N., Vasin, A.V., Gordienko, S.O., Lytvyn, P.M., Strelchuk, V.V., Nikolenko, A.S., Stubrov, Yu.Yu., Hirov, A.S., Rusavsky, A.V., Popov, V.P., Lysenko, V.S.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2013)

Electroluminescent properties of Tb-doped carbon-enriched silicon oxide

за авторством Tiagulskyi, S.I., Nazarov, A.N., Gordienk, S.O., Vasin, A.V., Rusavsky, A.V., Nazarova, T.M., Gomeniuk, Yu.V., Rudko, G.V., Lysenko, V.S., Rebohle, L., Voelskow, M., Skorupa, W., Koshka, Y.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2014)