Suchergebnisse - S. S. Kovachov
- Treffer 1 - 4 von 4
-
1
Формування ?-SiC на поверхні por-Si/mono-Si за механізмом Странського – Крастанова von Suchikova, Y. O., Kovachov, S. S., Bardus, I. O., Lazarenko, A. S., Bohdanov, I. T.
Veröffentlicht 2022
Volltext
Artikel -
2
Formation of β-SiC on por-Si/mono-Si surface according to Stranski - Krastanow mechanism von Y. O. Suchikova, S. S. Kovachov, I. O. Bardus, A. S. Lazarenko, I. T. Bohdanov
Veröffentlicht 2022Volltext
Artikel -
3
-
4
Study on phase characteristics of heterostructure por-Ga2O3/GaAs von S. S. Kovachov, I. T. Bohdanov, D. S. Drozhcha, K. M. Tikhovod, V. V. Bondarenko, I. G. Kosogov, Ya. O. Suchikova
Veröffentlicht 2024Volltext
Artikel
Suchwerkzeuge:
Ähnliche Schlagworte
electrochemical etching
електрохімічне травлення
Ga2O3
GaAs
Stranski-Krastanow mechanism
crystal lattice
heterostructures
layer-plus-island growth
layer-plus-island модель росту
oxidation
pores
porous layers
silicon carbide
thermal annealing
гетероструктури
карбід кремнію
кристалічна ґратка
механізм Странського – Крастанова
оксидування
пори
поруваті шари
термічний відпал