Результати пошуку - S. S. Kovachov
- Показ 1 - 4 результатів із 4
-
1
Формування ?-SiC на поверхні por-Si/mono-Si за механізмом Странського – Крастанова за авторством Suchikova, Y. O., Kovachov, S. S., Bardus, I. O., Lazarenko, A. S., Bohdanov, I. T.
Опубліковано 2022
Отримати повний текст
Стаття -
2
Formation of β-SiC on por-Si/mono-Si surface according to Stranski - Krastanow mechanism за авторством Y. O. Suchikova, S. S. Kovachov, I. O. Bardus, A. S. Lazarenko, I. T. Bohdanov
Опубліковано 2022Отримати повний текст
Стаття -
3
-
4
Study on phase characteristics of heterostructure por-Ga2O3/GaAs за авторством S. S. Kovachov, I. T. Bohdanov, D. S. Drozhcha, K. M. Tikhovod, V. V. Bondarenko, I. G. Kosogov, Ya. O. Suchikova
Опубліковано 2024Отримати повний текст
Стаття
Інструменти для пошуку:
Пов'язані теми
electrochemical etching
електрохімічне травлення
Ga2O3
GaAs
Stranski-Krastanow mechanism
crystal lattice
heterostructures
layer-plus-island growth
layer-plus-island модель росту
oxidation
pores
porous layers
silicon carbide
thermal annealing
гетероструктури
карбід кремнію
кристалічна ґратка
механізм Странського – Крастанова
оксидування
пори
поруваті шари
термічний відпал