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    Deformation potential constants Ξu and Ξd in n-Si determined with the use of the tensoresistance effect
    von S. V. Luniov, L. I. Panasiuk, S. A. Fedosov
    Veröffentlicht 2012
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  2. 2
    Calculation of the ground-state ionization energy for shallow donors in n-Ge single crystals within the Δ1-model for the conduction band
    von S. V. Luniov, O. V. Burban, P. F. Nazarchuk
    Veröffentlicht 2015
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  3. 3
    Features of radiation-defect annealing in n-Ge single crystals irradiated with high-energy electrons
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