New nonlinear model to determine Cgs and Cgd capacities of GaAs MESFET

за авторством Merabtine, N., Amourache, S., Saidi, Y., Zaabat, M., Kenzai, Ch.
Опубліковано 2003

Active layer – semi-insulating substrate interface effect on GaAs MESFET components

за авторством Belgat, M., Merabtine, N., Zaabat, M., Kenzai, C., Saidi, Y.
Опубліковано 2004

Influence of physical and geometrical parameters on electrical properties of short gate GaAs MESFETs

за авторством Khemissi, S., Merabtine, N., Zaabat, M., Kenzai, C., Saidi, Y., Amourache, S.
Опубліковано 2006

Active inductances controlled in GaAs MESFET technology

за авторством Benbouza, M.S., Kenzai-Azizi, C., Merabtine, N., Saidi, Y., Amourache, S.
Опубліковано 2006

An improved contribution to optimize Si and GaAs solar cell performances

за авторством Merabtine, N., Amourache, S., Bouaouina, M., Zaabat, M., Saidi, Y., Kenzai, C.
Опубліковано 2004