Результати пошуку - Sfaxi, L.
- Показ 1 - 2 результатів із 2
-
1
-
2
A novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs за авторством Sghaier, H., Bouzaiene, L., Sfaxi, L., Maaref, H.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2012)Отримати повний текст
Стаття