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    A novel Al0. 33Ga0. 67As/In0. 15Ga0. 85As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs)
    von H. Sghaier, L. Bouzaiene, L. Sfaxi, H. Maaref
    Veröffentlicht 2012
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    A novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs
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    RHEED digital image analysis system for in-situ growth rate and alloy composition measurements of GaAs-based nanostructures
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    A long survival of a patient with brain metastasis of unknown site of the primary tumor
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