Харвестер відкритої науки НАН України

A novel Al0. 33Ga0. 67As/In0. 15Ga0. 85As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs)

за авторством H. Sghaier, L. Bouzaiene, L. Sfaxi, H. Maaref
Опубліковано 2012

A novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs

за авторством Sghaier, H., Bouzaiene, L., Sfaxi, L., Maaref, H.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2012)

RHEED digital image analysis system for in-situ growth rate and alloy composition measurements of GaAs-based nanostructures

за авторством Sghaier, H., Bouzaiene, L., Sfaxi, L., Maaref, H.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2004)

A long survival of a patient with brain metastasis of unknown site of the primary tumor

за авторством Ben Kridis, W., Sghaier, S., Toumi, N., Boudawara, Z., Khanfir, A., Daoud, J., Frikha, M.
Опубліковано в: Experimental Oncology (2018)