Theoretical approach to electrodiffusion of shallow donors in semiconductors: I. Stationary limit за авторством Kashirina, N.I., Kislyuk, V.V., Sheinkman, M.K.

Отримати повний текст

Properties of the shallow D-centers in semiconductors with polar and covalent binding за авторством Kashirina, N.I., Lakhno, V.D., Sychyov, V.V., Sheinkman, M.K.

Отримати повний текст

Electron-enhanced reactions responsible for photoluminescence spectrum change in II-VI compounds за авторством Korsunskaya, N. E., Markevich, I. V., Dzhumaev, B. R., Borkovskaya, L. V., Sheinkman, M. K.

Отримати повний текст

Influence of cation vacancy related defects on the self-assembly processes in CdSe/ZnSe quantum dot heterostructures за авторством Borkovska, L.V., Korsunska, N.O., Kushnirenko, V.I., Sadofyev, Yu.G., Sheinkman, M.K.

Отримати повний текст

The nature of red emission in porous silicon за авторством Khomenkova, L.Yu., Korsunska, N.E., Bulakh, B.M., Sheinkman, M.K., Stara, T.R.

Отримати повний текст

About the nature of diffusion anisotropy in CdS crystals за авторством Borkovskaya, L.V., Dzhumaev, B.R., Khomenkova, L.Yu., Korsunskaya, N.E., Markevich, I.V., Sheinkman, M.K.

Отримати повний текст