Relaxation of photodarkening in SiO-As₂(S,Se)₃ composite layers

von Indutnyi, I.Z., Shepeliavyi, P.E., Indutnyi, V.I.
Veröffentlicht 1999

Fabrication of silicon grating structures using interference lithography and chalcogenide inorganic photoresist

von Min’ko, V.I., Shepeliavyi, P.E., Indutnyy, I.Z., Litvin, O.S.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2007)

Effect of acetone vapor treatment on photoluminescence of porous nc-Si–SiOx nanostructures

von Indutnyi, I.Z., Michailovska, K.V., Min’ko, V.I., Shepeliavyi, P.E.
Veröffentlicht 2009

Polarization memory of photoluminescence related with Si nanoparticles embedded into oxide matrix

von Michailovska, K.V., Indutnyi, I.Z., Kudryavtsev, O.O., Sopinskyy, M.V., Shepeliavyi, P.E.
Veröffentlicht 2015

Polarization conversion effect in obliquely deposited SiOx films

von Sopinskyy, M.V., Indutnyi, I.Z., Michailovska, K.V., Shepeliavyi, P.E., Tkach, V.M.
Veröffentlicht 2011

The use of chalcogenide glassy semiconductors to create micro- and nanoscale structures

von Petrov, V. V., Kryuchуn, A. A., Rubish, V. M., Kostyukevуch, S. A., Shepeliavyi, P. E.
Veröffentlicht 2020

Photostimulated etching of germanium chalcogenide films

von Dan’ko, V.A., Indutnyi, I.Z., Myn’ko, V.I., Shepeliavyi, P.E., Lukyanyuk, M.V., Litvin, O.S.
Veröffentlicht 2012

Optical recording of information pits in thin layers of chalcogenide semiconductors

von Morozovska, A.N., Kostyukevych, S.A., Nikitenko, L.L., Kryuchin, A.A., Kudryavtsev, A.A., Shepeliavyi, P.E., Moskalenko, N.L.
Veröffentlicht 2004

Вплив обробки у парах HF на структуру та люмінесцентні властивості поруватих Si/SiОx нанокомпозитів

von Dan’ko, V.A., Zlobin, S.O., Indutnyi, I.Z., Lisovskyy, I.P., Litovchenko, L.G., Michailovska, K.V., Shepeliavyi, P.E.
Veröffentlicht 2025

Наноструктурованi Au чiпи з пiдвищеною чутливiстю для сенсорiв на основi поверхневого плазмонного резонансу...

von Indutnyi, I. Z., Ushenin, Yu. V., Myn’ko, V. I., Shepeliavyi, P. E., Lukaniuk, M. V., Korchovyi, A. A., Khrystosenko, R. V.
Veröffentlicht 2018

Механiзм iндукованої оловом кристалiзацiї аморфного кремнiю

von Neimash, V. B., Goushcha, A. O., Shepeliavyi, P. E., Yukhymchuk, V. O., Dan’ko, V. A., Melnyk, V. V., Kuzmich, A. G.
Veröffentlicht 2018

Effect of chemical and radiofrequency plasma treatment on photoluminescence of SiOx films

von Indutnyy, I.Z., Lysenko, V.S., Min'ko, V.I., Nazarov, A.N., Tkachenko, A.S., Shepeliavyi, P.E., Dan'ko, V.A., Maidanchuk, I.Yu.
Veröffentlicht 2006

Effect of low-temperature annealing on light-emitting properties of na-Si/SiOx porous nanocomposite films

von Lisovskyy, I.P., Litovchenko, V.G., Zlobin, S.O., Voitovych, M.V., Khatsevich, I.M., Indutnyy, I.Z., Shepeliavyi, P.E., Kolomys, O.F.
Veröffentlicht 2011

Electron field emission from SiOx films

von Evtukh, А.А., Indutnyy, I.Z., Lisovskyy, I.P., Litvin, Yu.M., Litovchenko, V.G., Lytvyn, P.M., Mazunov, D.O., Rassamakin, Yu.V., Shepeliavyi, P.E.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2003)

Nanopatterning Au chips for SPR refractometer by using interference lithography and chalcogenide photoresist

von Dan’ko, V.A., Dorozinsky, G.V., Indutnyi, I.Z., Myn’ko, V.I., Ushenin, Yu.V., Shepeliavyi, P.E., Lukaniuk, M.V., Korchovyi, A.A., Khrystosenko, R.V.
Veröffentlicht 2015

Recording the high efficient diffraction gratings by using He-Cd laser

von Kostyukevych, S.A., Morozovska, A.N., Minko, V.I., Shepeliavyi, P.E., Kudryavtsev, A.A., Rubish, V.M., Rubish, V.V., Tverdokhleb, I.V., Kostiukevych, A.S., Dyrda, S.V.
Veröffentlicht 2004