The influence of heating temperature and sizes of components upon stresses and defect formation in semiconductor structures under isothermal heating за авторством Agueev, O.A., Svetlichny, A.M.

Отримати повний текст

Газоанализаторы на основе пористого карбида кремния за авторством Moskovchenko, N. N., Svetlichny, A. M.

Отримати повний текст

Simulation of incoherent radiation absorption in 3C-, 6H- and 4H-SiC at rapid thermal processing за авторством Agueev, O.A., Svetlichny, A.M., Soloviev, S.I.

Отримати повний текст

Evolution of structural and electrophysical parameters of Ni/SiC contacts at rapid thermal annealing за авторством Litvinov, V.L., Demakov, K.D., Agueev, O.A., Svetlichny, A.M., Konakova, R.V., Lytvyn, P.M., Lytvyn, O.S., Milenin, V.V.

Отримати повний текст

Effect of pulse thermal treatments on the Ni(Ti)–n-21R(6H)-SiC contact parameters за авторством Avdeev, S.P., Agueev, O.A., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Lytvyn, O.S., Lytvyn, P.M., Milenin, V.V., Sechenov, D.A., Svetlichny, A.M., Soloviev, S.I., Sudarshan, T.S.

Отримати повний текст