Результати пошуку - Tretyak, O.V.

  • Показ 1 - 7 результатів із 7
Уточнити результати
  1. 1
    Зображення обкладинки

    Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes за авторством Tretyak, O.V., Kozonushchenko, O.I., Krivokhizha, K.V., Revenko, A.S.

    Отримати повний текст
    Стаття

    Додати у Вибране
    Збережено в:
  2. 2
    Зображення обкладинки

    Synthesis of charged silica films of porous structure за авторством Zharkikh, Yu.S., Lysochenko, S.V., Pylypenko, O.A., Tretyak, O.V.

    Опубліковано в: Functional Materials (2008)
    Отримати повний текст
    Стаття

    Додати у Вибране
    Збережено в:
  3. 3
    Зображення обкладинки

    Aвтоматизированный спектрометр глубоких уровней для исследования полупроводниковых структур за авторством Boiko, Yu. V., Kuznetsov, G. V., Savitsky, S. М., Tretyak, O. V.

    Опубліковано 2007
    Отримати повний текст
    Стаття

    Додати у Вибране
    Збережено в:
  4. 4
    Зображення обкладинки

    Self-consistent model of strong coupling theory of electron correlations in disordered crystals за авторством Repetsky, S.P., Tretyak, O.V., Vyshivanaya, I.G., Shastun, V.V.

    Опубліковано в: Успехи физики металлов (2012)
    Отримати повний текст
    Стаття

    Додати у Вибране
    Збережено в:
  5. 5
    Зображення обкладинки

    Воздействие импульсов прямого тока на время жизни неосновных носителей заряда в р+–n-диоде за авторством Kushnirenko, V. V., Ninidze, G. K., Pavljuk, S. P., Savitsky, S. M., Tretyak, O. V.

    Опубліковано 2007
    Отримати повний текст
    Стаття

    Додати у Вибране
    Збережено в:
  6. 6
    Зображення обкладинки

    Effect of pressure on intersystem transitions in aromatic amine molecules за авторством Skrishevsky, Yu.A., Vakhnin, A.Yu., Skrishevsky, V.A., Gavrilchenko, I.V., Tretyak, O.V.

    Опубліковано в: Functional Materials (2006)
    Отримати повний текст
    Стаття

    Додати у Вибране
    Збережено в:
  7. 7
    Зображення обкладинки

    Electrical properties of semiconductor structures with Si nanoclusters in SiO₂ grown by high temperature annealing technology of SiOx layer, X<2 за авторством Bunak, S.V., Buyanin, A.A., Ilchenko, V.V., Marin, V.V., Melnik, V.P., Khacevich, I.M., Tretyak, O.V., Shkavro, A.G.

    Отримати повний текст
    Стаття

    Додати у Вибране
    Збережено в:

Інструменти для пошуку: