Результати пошуку - V. N. Neverov
- Показ 1 - 17 результатів із 17
-
1
Antisymmetric contribution to the magnetoresistance of heterostructure in the in-plane magnetic field за авторством A. S. Bogoljubskij, S. V. Gudina, V. N. Neverov, S. G. Novokshonov, M. V. Jakunin
Опубліковано 2017Отримати повний текст
Стаття -
2
Scaling laws under quantum Hall effect for a smooth disorder potential за авторством S. V. Gudina, A. S. Klepikova, V. N. Neverov, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin
Опубліковано 2019Отримати повний текст
Стаття -
3
-
4
-
5
Insulator–quantum Hall transition in n-InGaAs/GaAs heterostructures за авторством A. P. Savelev, S. V. Gudina, Ju. G. Arapov, V. N. Neverov, S. M. Podgornykh, M. V. Jakunin
Опубліковано 2017Отримати повний текст
Стаття -
6
Quasiclassical calculations of Landau level spectrum for 20.5-nm-wide HgTe quantum well: "extremum loop” model and effects of cubic symmetry за авторством S. V. Gudina, A. S. Bogolubskiy, V. N. Neverov, K. V. Turutkin, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin
Опубліковано 2021Отримати повний текст
Стаття -
7
-
8
-
9
Plateau–plateau transitions in the quantum Hall regime for a single quantum well heterostructure n-InGaAs/GaAs before and after IR illumination за авторством Ju. G. Arapov, S. V. Gudina, A. S. Klepikova, V. N. Neverov, G. I. Kharus, N. G. Shelushinina, M. V. Jakunin
Опубліковано 2015Отримати повний текст
Стаття -
10
-
11
-
12
Experimental detection of quantum oscillations of the anomalous Hall resistance in mercury selenide crystals with cobalt impurities за авторством A. T. Lonchakov, S. B. Bobin, V. V. Derjushkin, V. I. Okulov, T. E. Govorkova, V. N. Neverov, E. A. Pamjatnykh, L. D. Paranchich
Опубліковано 2017Отримати повний текст
Стаття -
13
Dielectric and magnetic properties of holmium and ytterbium titanates за авторством A. S. Bogolubskiy, A. S. Klepikova, A. B. Rinkevich, V. N. Neverov, O. V. Nemytova, M. S. Koroleva, I. V. Piir, D. V. Perov
Опубліковано 2021Отримати повний текст
Стаття -
14
-
15
The conditions of longitudinal and Hall conductance critical behavior in quantum Hall regime for heterostructures based on gallium and indium arsenide за авторством A. S. Klepikova, Ju. G. Arapov, S. V. Gudina, V. N. Neverov, G. I. Kharus, N. G. Shelushinina, M. V. Jakunin, B. N. Zvonkov
Опубліковано 2017Отримати повний текст
Стаття -
16
HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect and the large-scale impurity potential за авторством S. V. Gudina, Yu. G. Arapov, V. N. Neverov, S. M. Podgornykh, M. R. Popov, E. V. Deriushkina, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky
Опубліковано 2019Отримати повний текст
Стаття -
17
Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure за авторством S. V. Gudina, V. N. Neverov, E. G. Novik, E. V. Ilchenko, G. I. Harus, N. G. Shelushinina, S. M. Podgornykh, M. V. Yakunin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky
Опубліковано 2017Отримати повний текст
Стаття