Результати пошуку - Vakhnyak, N.D.
- Показ 1 - 9 результатів із 9
-
1
Photoelectrical analysis of n-TiO₂/p-CdTe heterojunction solar cells за авторством Brus, V.V., Maryanchuk, P.D., Parfenyuk, O.A., Vakhnyak, N.D.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2013)Отримати повний текст
Стаття -
2
Comparison of optical properties of TiO₂ thin films prepared by reactive magnetron sputtering and electron-beam evaporation techniques за авторством Brus, V.V., Kovalyuk, Z.D., Parfenyuk, O.A., Vakhnyak, N.D.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2011)Отримати повний текст
Стаття -
3
Influence of g-irradiation on photoluminescence spectra of CdTe:Cl за авторством Vakhnyak, N.D., Krylyuk, S.G., Kryuchenko, Yu.V., Kupchak, I.M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2002)Отримати повний текст
Стаття -
4
Luminescence of crystals ZnSe 〈Al〉:Gd за авторством Makhniy, V.P., Vakhnyak, N.D., Kinzerska, O.V., Senko, I.M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2018)Отримати повний текст
Стаття -
5
-
6
Influence of low-temperature annealing on the state of CdTe surface за авторством Parfenyuk, O.A., Ilashchuk, M.I., Chupyra, S.M., Burachek, V.R., Korbutyak, D.V., Krylyuk, S.G., Vakhnyak, N.D.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2005)Отримати повний текст
Стаття -
7
Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения за авторством Budzulyak, S. I., Korbutyak, D. V., Lots'ko, A. P., Vakhnyak, N. D., Kalitchuk, S. M., Demchina, L. A., Konakova, R. V., Shinkarenko, V. V., Mel'nichuk, A. V.
Опубліковано 2014Отримати повний текст
Стаття -
8
Transformation of impurity-defect centers in single crystals CdTe:Cl under the influence of microwaves за авторством Vakhnyak, N.D., Lotsko, O.P., Budzulyak, S.I., Demchyna, L.A., Korbutyak, D.V., Konakova, R.V., Red’ko, R.A., Okhrimenko, O.B., Berezovska, N.I.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2017)Отримати повний текст
Стаття -
9
Особенности изготовления Cd1–xZnxTe-детектора ионизирующего излучения за авторством Tomashik, Z. F., Stratiichuk, I. B., Tomashik, V. N., Budzulyak, S. I., Gnativ, І. І., Komar, V. K., Dubina, N. G., Lots’ko , A. P., Korbutyak, D. V., Demchina, L. A., Vakhnyak, N. D.
Опубліковано 2013Отримати повний текст
Стаття
Інструменти для пошуку:
Пов'язані теми
Optoelectronics and optoelectronic devices
cadmium telluride
chemical etching
chemical-dynamic polishing
chemical-mechanical polishing
microwave radiation
photoluminescence
radiation detectors
semiconductor
детектор ионизирующего излучения
микроволновое излучение
полупроводник
теллурид кадмия
фотолюминесценция
химико-динамическое полирование
химико-механическое полирование
химическое травление