Харвестер відкритої науки НАН України

Peculiarities of the exciton scattering in double semiconductor quantum wells with disordered layers

за авторством Vertsimakha, G.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2015)

Variational approach to the calculation of the lowest Wannier exciton state in wide type-II single semiconductor quantum wells

за авторством Vertsimakha, G.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2016)

Вплив взаємного просторового положення металевої наночастинки та LH2 комплексу фотосинтетичних бактерiй на оптичнi властивостi гiбридної свiтлозбиральної структури...

за авторством Vertsimakha, G. V.
Опубліковано 2018

The influence of single barrier semimagnetic semiconductor spin filter on electrons spin polarization

за авторством Vertsimakha, G.V., Lev, S.B.
Опубліковано в: Functional Materials (2010)

Spin polarization in semimagnetic semiconductor two barrier spin filters

за авторством Lev, S.B., Sugakov, V.I., Vertsimakha, G.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2007)

Investigation of the direct/indirect exciton transition in the double quantum well system based on Cd₁₋yMgyTe/ Cd₁₋xMnxTe in applied magnetic field

за авторством Lev, S.B., Sugakov, V.I., Vertsimakha, G.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2007)