Харвестер відкритої науки НАН України

Photoinduced structural changes in As₁₀₀₋xSx layers

за авторством Stronski, A., Vlcek, M., Sklenar, A.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2000)

Optical properties and structure of As-Ge-Se thin films

за авторством Tolmachov, I.D., Stronski, A.V., Vlcek, M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2010)

Fourier Raman spectroscopy studies of the As₄₀S₆₀-xSex glasses

за авторством Stronski, A.V., Vlček, M., Oleksenko, P.F.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2001)

Raman scattering in sulphide glasses

за авторством Tolmachov, I.D., Stronski, A.V., Pribylova, H., Vlček, M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2010)

Raman spectra of Ag- and Cu- photodoped chalcogenide films

за авторством Stronski, A.V., Vlcek, M., Stetsun, A.I., Sklenar, A., Shepeliavyi, P.E.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (1999)

Image formation properties of As₄₀S₂₀Se₄₀ thin layers in application for gratings fabrication

за авторством Stronski, A.V., Vlcek, M., Shepeliavyi, P.E., Sklenar, A., Kostyukevich, S.A.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (1999)

Photoluminescence of As₂S₃ doped with Cr and Yb

за авторством Stronski, A.V., Paiuk, O.P., Strelchuk, V.V., Nasieka, Iu.M., Vlček, M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2014)

Study of non-reversible photostructural transformations in As₄₀S₆₀-xSex layers applied for fabrication of holographic protective elements

за авторством Stronski, A.V., Vlcek, M., Kostyukevych, S.A., Tomchuk, V.M., Kostyukevych, E.V., Svechnikov, S.V., Kudryavtsev, A.A., Moskalenko, N.L., Koptyukh, A.A.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2002)