Результати пошуку - Vlaskin, V.I.
- Показ 1 - 11 результатів із 11
-
1
-
2
3C-6H transformation in heated cubic silicon carbide 3C-SiC за авторством Vlaskina, S.I., Mishinova, G.N., Vlaskin, V.I., Rodionov, V.E., Svechnikov, G.S.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2011)Отримати повний текст
Стаття -
3
Flexible electroluminescent panels за авторством Vlaskin, V.I., Vlaskina, S.I., Koval, O.Yu., Rodionov, V.E., Svechnikov, G.S.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2007)Отримати повний текст
Стаття -
4
Boron, aluminum, nitrogen, oxygen impurities in silicon carbide за авторством Vlaskina, S.I., Vlaskin, V.I., Podlasov, S.A., Rodionov, V.E., Svechnikov, G.S.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2007)Отримати повний текст
Стаття -
5
Structure of photoluminescence DL-spectra and phase transformation in lightly doped SiC crystals and films за авторством Vlaskina, S.I., Mishinova, G.N., Vlaskin, V.I., Rodionov, V.E., Svechnikov, G.S.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2015)Отримати повний текст
Стаття -
6
External impacts on SiC nanostructures in pure and lightly doped silicon carbide crystals за авторством Vlaskina, S.I., Mishinova, G.N., Vlaskin, V.I., Rodionov, V.E., Svechnikov, G.S.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2015)Отримати повний текст
Стаття -
7
Peculiarities of photoluminescence spectra behavior in SiC crystals and films during phase transformations за авторством Vlaskina, S.I., Mishinova, G.N., Vlaskin, V.I., Rodionov, V.E., Svechnikov, G.S.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2016)Отримати повний текст
Стаття -
8
Structure of photoluminescence DL-spectra and phase transformation in lightly doped SiC crystals and films за авторством Vlaskina, S.I., Mishinova, G.N., Vlaskin, V.I., Rodionov, V.E., Svechnikov, G.S.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2015)Отримати повний текст
Стаття -
9
Nanograin boundaries and silicon carbide photoluminescence за авторством Vlaskina, S.I., Mishinova, G.N., Vlaskin, V.I., Rodionov, V.E., Svechnikov, G.S.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2017)Отримати повний текст
Стаття -
10
-
11
Silicon carbide defects and luminescence centers in current heated 6H-SiC за авторством Lee, S.W., Vlaskina, S.I., Vlaskin, V.I., Zaharchenko, I.V., Gubanov, V.A., Mishinova, G.N., Svechnikov, G.S., Rodionov, V.E., Podlasov, S.A.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2010)Отримати повний текст
Стаття