8H-, 10H-, 14H-SiC formation in 6H-3C silicon carbide phase transitions за авторством Vlaskina, S.I., Mishinova, G.N., Vlaskin, V.I., Rodionov, V.E., Svechnikov, G.S.

Отримати повний текст

3C-6H transformation in heated cubic silicon carbide 3C-SiC за авторством Vlaskina, S.I., Mishinova, G.N., Vlaskin, V.I., Rodionov, V.E., Svechnikov, G.S.

Отримати повний текст

Flexible electroluminescent panels за авторством Vlaskin, V.I., Vlaskina, S.I., Koval, O.Yu., Rodionov, V.E., Svechnikov, G.S.

Отримати повний текст

Boron, aluminum, nitrogen, oxygen impurities in silicon carbide за авторством Vlaskina, S.I., Vlaskin, V.I., Podlasov, S.A., Rodionov, V.E., Svechnikov, G.S.

Отримати повний текст

Structure of photoluminescence DL-spectra and phase transformation in lightly doped SiC crystals and films за авторством Vlaskina, S.I., Mishinova, G.N., Vlaskin, V.I., Rodionov, V.E., Svechnikov, G.S.

Отримати повний текст

Structure of photoluminescence DL-spectra and phase transformation in lightly doped SiC crystals and films за авторством Vlaskina, S.I., Mishinova, G.N., Vlaskin, V.I., Rodionov, V.E., Svechnikov, G.S.

Отримати повний текст

Nanograin boundaries and silicon carbide photoluminescence за авторством Vlaskina, S.I., Mishinova, G.N., Vlaskin, V.I., Rodionov, V.E., Svechnikov, G.S.

Отримати повний текст

Silicon carbide phase transition in as-grown 3C-6H polytypes junction за авторством Vlaskina, S.I., Mishinova, G.N., Vlaskin, V.I., Svechnikov, G.S., Rodionov, V.E., Lee, S.W.

Отримати повний текст

Silicon carbide defects and luminescence centers in current heated 6H-SiC за авторством Lee, S.W., Vlaskina, S.I., Vlaskin, V.I., Zaharchenko, I.V., Gubanov, V.A., Mishinova, G.N., Svechnikov, G.S., Rodionov, V.E., Podlasov, S.A.

Отримати повний текст