Харвестер відкритої науки НАН України

Modification of electroluminescence and charge trapping in germanium implanted metal-oxide-silicon light-emitting diodes with plasma treatment

за авторством Nazarov, A.N., Skorupa, W., Vovk, Ja.N., Osiyuk, I.N., Tkachenko, A.S., Tyagulskii, I.P., Lysenko, V.S., Gebel, T., Rebohle, L., Yankov, R.A., Nazarova, T.M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2005)