Результати пошуку - Wierzchowski, W.
- Показ 1 - 1 результатів із 1
-
1
Defect structure of Czochralski silicon co-implanted with helium and hydrogen and treated at high temperature - pressure за авторством Wierzchowski, W., Misiuk, A., Wieteska, K., Bak-Misiuk, J., Jung, W., Shalimov, A., Graeff, W., Prujszczyk, M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2005)Отримати повний текст
Стаття