Properties of SiGe/Si heterostructures fabricated by ion implantation technique за авторством Gomeniuk, Y.V., Lysenko, V.S., Osiyuk, I.N., Tyagulski, I.P., Valakh, M.Ya., Yukhimchuk, V.A., Willander, M., Patel, C.J.

Отримати повний текст