Зображення обкладинки

Electronic structure and optical properties of Cs2HgI4: Experimental study and band-structure DFT calculations

Experimental X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) dataset collected for a Cs2HgI4 single crystal synthesized via the vertical Bridgman–Stockbarger method. The dataset encompasses wide-range survey energy scans, high-resolution core-level regions (Cs 3d, Hg 4f, and I 3d), as well as low-binding-ene...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2014
Автори:	Tkach, Vira, O.Y. Khyzhun, N.M. Denysіuk, Luzhnyi Ivan Vasyliovych
Формат:	Data
Мова:	Англійська
Опубліковано:	DataverseUA 2014
Теми:	Chemistry Engineering Physics X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) Semiconductors Electronic structure Cs2HgI4 Ternary halide semiconductor Core-level photoelectron spectra Valence band density of states Ion sputtering effect
Онлайн доступ:	https://doi.org/10.48788/DVUA/JSPAOF
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Open Data Repository of the National Academy of Sciences of Ukraine

Репозитарії

Open Data Repository of the National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Surface chemscal states of Cu2HgGeSe4 studied by X-ray photoelectron spectroscopy
за авторством: Tkach, Vira, та інші
Опубліковано: (2019)

Analysis of Ag2CdSnS4 Compound by X-ray photoelectron spectroscopy
за авторством: Tkach, Vira, та інші
Опубліковано: (2014)

High-Resolution XPS Dataset for TIHgBr₃ Single Crystals
за авторством: O.Y. Khyzhun, та інші
Опубліковано: (2025)

Analysis of Ag2HgSnS4 Compound by X-ray photoelectron spectroscopy
за авторством: Tkach, Vira, та інші
Опубліковано: (2014)

XPS experiment dataset for crystal Tl3PbBr5
за авторством: O.Y. Khyzhun, та інші
Опубліковано: (2012)

Study of the electronic structure of Mn2-хCoxP2O7·5H2O at x=0.6, using X-ray photoelectron spectroscopy
за авторством: Smolyak Svitlana, та інші
Опубліковано: (2025)

X-ray photoelectron spectroscopic study of the electronic structure of Mn₂₋ₓCoₓP₂O₇·5H₂O, at x=1.0
за авторством: Smolyak Svitlana, та інші
Опубліковано: (2025)

Replication Data for: X-ray photoelectron spectroscopic study of the electronic structure of Co10Fe31B10Mo32Ge8Mn9 high-entropy alloy
за авторством: Pazukha, Iryna, та інші
Опубліковано: (2026)

The electronic, structural and paramagnetic properties of magnesium telluride
за авторством: Akinlami, J.O., та інші
Опубліковано: (2019)

Synergetics of the instability and randomness in the formation of gradient-modified semiconductor structures
за авторством: Yurkovych, N.V., та інші
Опубліковано: (2018)

Electronic structure, optical, and photoelectrical properties of crystalline Si₂Te₃
за авторством: Bletskan, D.I., та інші
Опубліковано: (2019)

Crystal structure and electrical properties of Ag₆PS₅I single crystal
за авторством: Studenyak, I.P., та інші
Опубліковано: (2021)

New possibilities for phase-variation structural diagnostics of multiparametrical monocrystalline systems with defects
за авторством: Molodkin, V.B., та інші
Опубліковано: (2021)

Features of current transport in Al–Al₂O₃–-CdTe–Mo structure
за авторством: Uteniyazov, A.K., та інші
Опубліковано: (2020)

Study of structural, electrical, and optical properties of MoRe₀.₀₀₁Se₁.₉₉₉ single crystal
за авторством: Vora, A.M.
Опубліковано: (2020)

Structural and impedance studies of copper-enriched (Cu₀.₇₅Ag₀.₂₅)₇SiS₅I-based ceramics
за авторством: Studenyak, I.P., та інші
Опубліковано: (2020)

Current-voltage characteristics of the injection photodetector based on M(In)-CdS-Si-M(In) structure
за авторством: Sapaev, I.B., та інші
Опубліковано: (2019)

Effect of ultrasound irradiation on the electro-physical properties of the structure of Al-Al₂O₃-CdTe
за авторством: Uteniyazov, A.K., та інші
Опубліковано: (2019)

Transformation of structural defects in semiconductors under the action of electromagnetic and magnetic fields, causing resonant phenomena
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2019)

Growth-sector dependence of morphological, structural, and optical features in boron-doped HPHT diamond crystals
за авторством: Strelchuk, V.V., та інші
Опубліковано: (2021)

Influence of intrinsic point defects and substitutional impurities (Cl, I → S) on the electronic structure of 2H-Sn₂
за авторством: Bletskan, D.I., та інші
Опубліковано: (2018)

Transformation of defects in semiconductor structures under the influence of microwave electromagnetic radiation, which is stimulated by drift phenomena
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2020)

Features of structural changes in mosaic Ge:Sb according to X-ray diffractometry and electron backscatter diffraction data
за авторством: Borcha, M.D., та інші
Опубліковано: (2019)

Peculiarities of the study of Au-Ti-Pd-n⁺-n-n⁺-Si multilayer contact structure to avalanche transit-time diodes
за авторством: Romanets, P.M., та інші
Опубліковано: (2019)

Dielectric properties of nematic liquid crystal with impurities of supramolecular Ni-TMTAA-TCNQ complexes
за авторством: Vovk, V.E., та інші
Опубліковано: (2020)

Account of surface contribution to the thermodynamic properties of lead selenide films
за авторством: Nykyruy, L.I., та інші
Опубліковано: (2019)

Diffusion properties of electrons in GaN crystals subjected to electric and magnetic fields
за авторством: Syngaivska, G.I., та інші
Опубліковано: (2018)

Modified expressions of field and thermionic-field emission for Schottky barrier diodes in the reverse regime
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2021)

Comparative characteristics of TiO₂(Er₂O₃, Dy₂O₃)/por-SiC/SiC heterostructures (Review)
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2020)

Thin dysprosium oxide films formed by rapid thermal annealing on porous SiC substrates
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2018)

Semiconductor surface spectroscopy using transverse acousto-electric effect: Role of surface charge in photo-processes at ZnS/Si interface
за авторством: Tatyanenko, N.P., та інші
Опубліковано: (2018)

Inversion of spin levels in exchange-coupled pairs under combined time reversal
за авторством: Geru, I.I.
Опубліковано: (2018)

Model phonon spectra of Cu₇SiS₅I and Ag₇SiS₅I crystals
за авторством: Nebola, I.I., та інші
Опубліковано: (2020)

Cyclotron radiation of semiconductor crystals
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2018)

Reduction of reverse leakage current at the TiO₂/GaN interface in field plate Ni/Au/-GaN Schottky diodes
за авторством: Shashikala, B.N., та інші
Опубліковано: (2021)

Key parameters of commercial silicon solar cells with rear metallization
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2019)

Nanostructured SiC as a promising material for the cold electron emitters
за авторством: Goriachko, A.M., та інші
Опубліковано: (2021)

Determination of the temperature dependence of electron effective mass in 4H-SiC from reverse current-voltage characteristics of 4H-SiC Schottky barrier diodes
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2020)

Features of electrochemical processes at the boundary p-GaAs-HF water solution
за авторством: Pashchenko, G.A., та інші
Опубліковано: (2018)

Effective minority carrier lifetime in double-sided macroporous silicon
за авторством: Onyshchenko, V.F., та інші
Опубліковано: (2020)