Laser-induced changes in optical properties of amorphous films of the system Ge-Se
The influence of laser radiation with λ = 530 and 650 nm on the transmission spectra of amorphous GeSex films was studied. The calculated values of pseudo forbidden gap Eg and refractive index n of films. Two types of photo-induced effects in the films have been identified — photobrightening (GeSe5,...
Збережено в:
Дата: | 2024 |
---|---|
Автори: | Рубіш, В. М., Поп, М. М., Петров, В. В., Макар, Л. І., Крючин, А. А., Ясінко, Т. І., Рубіш, В. В., Микайло, О. А., Кайнц, Д. І., Костюкевич, С. О. |
Формат: | Стаття |
Мова: | Ukrainian |
Опубліковано: |
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України
2024
|
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://drsp.ipri.kiev.ua/article/view/316668 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Data Recording, Storage & Processing |
Репозитарії
Data Recording, Storage & ProcessingСхожі ресурси
-
Influence of laser radiation and mercury vapors on the structure of se100-xtex amorphous films
за авторством: Рубіш, В. М., та інші
Опубліковано: (2022) -
Automation of measurements of the rate of thin films chemical etching
за авторством: Іваницький, В. П., та інші
Опубліковано: (2024) -
Structural investigations of photosensitive composites «Au Nps/Selenium film»
за авторством: Рубіш, В. М., та інші
Опубліковано: (2020) -
Optical Recording of Micro- and Nano- Relief Structures on Inorganic Resists Ge-Se
за авторством: Indutny, I. Z., та інші
Опубліковано: (2013) -
Взаємодія халькогенідних плівок As4Se96 з електронним пучком при використанні їх у ролі електронних резистів
за авторством: Bilanych, B. V., та інші
Опубліковано: (2020)