Method of dynamic parameters for mathematical modelling of switching processes of valves closing of semiconductor converters

A method has been developed for mathematical modeling of valve frequency converters (VFC) based on an analysis of the nature of the occurrence and patterns of the flow of inverse current of valves when they are locked using the dynamic parameters of valves, which are series-connected inductance and...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:National Technical University "Kharkiv Polytechnic Institute" and State Institution “Institute of Technical Problems of Magnetism of the National Academy of Sciences of Ukraine”
Дата:2022
Автор: Vasyliv, K. M.
Формат: Стаття
Мова:English
Ukrainian
Опубліковано: National Technical University "Kharkiv Polytechnic Institute" and State Institution “Institute of Technical Problems of Magnetism of the National Academy of Sciences of Ukraine” 2022
Теми:
Онлайн доступ:http://eie.khpi.edu.ua/article/view/257784
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!

Репозиторії

Electrical Engineering & Electromechanics
id eiekhpieduua-article-257784
record_format ojs
spelling eiekhpieduua-article-2577842022-05-30T16:52:46Z Method of dynamic parameters for mathematical modelling of switching processes of valves closing of semiconductor converters Метод динамічних параметрів для математичного моделювання комутаційних процесів запирання вентилів напівпровідникових перетворювачів Vasyliv, K. M. вентиль комутація інверсний струм рівень адекватності математична модель програмний код valve switching inverse current adequacy level mathematical model software code A method has been developed for mathematical modeling of valve frequency converters (VFC) based on an analysis of the nature of the occurrence and patterns of the flow of inverse current of valves when they are locked using the dynamic parameters of valves, which are series-connected inductance and active resistance, changing in accordance with the pattern of concentration dynamics charges in semiconductor structures (bases, emitters and p-n junctions. Taking into account the presence of the inverse current of semiconductor valves significantly increases the level of adequacy of mathematical modeling of VFCs of arbitrary structure and purpose and in arbitrary modes of their operation, including asymmetric and emergency transient electromagnetic processes of electrotechnical complexes with VFCs, not only during the time interval of switching (closing) of valves, but throughout the entire time modeling. Розроблено метод математичного моделювання вентильних перетворювачів частоти (ВПЧ) на підставі аналізу природи виникнення і закономірностей протікання інверсного струму вентилів під час їх запирання застосуванням динамічних параметрів вентилів, якими слугують послідовно з’єднані індуктивність та активний опір, що змінюються відповідно до закономірності динаміки концентрації носіїв електричних зарядів в структурах напівпровідників (базах, емітерах та p-n переходах). Врахування наявності інверсного струму напівпровідникових вентилів істотно підвищує рівень адекватності математичного моделювання ВПЧ довільної структури і призначення та в довільних режимах їх роботи включно з несиметричними та аварійними перехідними електромагнітними процесами електротехнічних комплексів з ВПЧ не лише на проміжку часу комутації (запирання) вентилів, але й в продовж всього часу моделювання. National Technical University "Kharkiv Polytechnic Institute" and State Institution “Institute of Technical Problems of Magnetism of the National Academy of Sciences of Ukraine” 2022-05-30 Article Article application/pdf application/pdf http://eie.khpi.edu.ua/article/view/257784 10.20998/2074-272X.2022.3.05 Electrical Engineering & Electromechanics; No. 3 (2022); 28-38 Электротехника и Электромеханика; № 3 (2022); 28-38 Електротехніка і Електромеханіка; № 3 (2022); 28-38 2309-3404 2074-272X en uk http://eie.khpi.edu.ua/article/view/257784/254620 http://eie.khpi.edu.ua/article/view/257784/254621 Copyright (c) 2022 K. M. Vasyliv http://creativecommons.org/licenses/by-nc/4.0
institution Electrical Engineering & Electromechanics
collection OJS
language English
Ukrainian
topic вентиль
комутація
інверсний струм
рівень адекватності
математична модель
програмний код
valve
switching
inverse current
adequacy level
mathematical model
software code
spellingShingle вентиль
комутація
інверсний струм
рівень адекватності
математична модель
програмний код
valve
switching
inverse current
adequacy level
mathematical model
software code
Vasyliv, K. M.
Method of dynamic parameters for mathematical modelling of switching processes of valves closing of semiconductor converters
topic_facet вентиль
комутація
інверсний струм
рівень адекватності
математична модель
програмний код
valve
switching
inverse current
adequacy level
mathematical model
software code
format Article
author Vasyliv, K. M.
author_facet Vasyliv, K. M.
author_sort Vasyliv, K. M.
title Method of dynamic parameters for mathematical modelling of switching processes of valves closing of semiconductor converters
title_short Method of dynamic parameters for mathematical modelling of switching processes of valves closing of semiconductor converters
title_full Method of dynamic parameters for mathematical modelling of switching processes of valves closing of semiconductor converters
title_fullStr Method of dynamic parameters for mathematical modelling of switching processes of valves closing of semiconductor converters
title_full_unstemmed Method of dynamic parameters for mathematical modelling of switching processes of valves closing of semiconductor converters
title_sort method of dynamic parameters for mathematical modelling of switching processes of valves closing of semiconductor converters
title_alt Метод динамічних параметрів для математичного моделювання комутаційних процесів запирання вентилів напівпровідникових перетворювачів
description A method has been developed for mathematical modeling of valve frequency converters (VFC) based on an analysis of the nature of the occurrence and patterns of the flow of inverse current of valves when they are locked using the dynamic parameters of valves, which are series-connected inductance and active resistance, changing in accordance with the pattern of concentration dynamics charges in semiconductor structures (bases, emitters and p-n junctions. Taking into account the presence of the inverse current of semiconductor valves significantly increases the level of adequacy of mathematical modeling of VFCs of arbitrary structure and purpose and in arbitrary modes of their operation, including asymmetric and emergency transient electromagnetic processes of electrotechnical complexes with VFCs, not only during the time interval of switching (closing) of valves, but throughout the entire time modeling.
publisher National Technical University "Kharkiv Polytechnic Institute" and State Institution “Institute of Technical Problems of Magnetism of the National Academy of Sciences of Ukraine”
publishDate 2022
url http://eie.khpi.edu.ua/article/view/257784
work_keys_str_mv AT vasylivkm methodofdynamicparametersformathematicalmodellingofswitchingprocessesofvalvesclosingofsemiconductorconverters
AT vasylivkm metoddinamíčnihparametrívdlâmatematičnogomodelûvannâkomutacíjnihprocesívzapirannâventilívnapívprovídnikovihperetvorûvačív
first_indexed 2024-06-01T14:40:14Z
last_indexed 2024-06-01T14:40:14Z
_version_ 1800670087228686336