Method of dynamic parameters for mathematical modelling of switching processes of valves closing of semiconductor converters
A method has been developed for mathematical modeling of valve frequency converters (VFC) based on an analysis of the nature of the occurrence and patterns of the flow of inverse current of valves when they are locked using the dynamic parameters of valves, which are series-connected inductance and...
Збережено в:
Видавець: | National Technical University "Kharkiv Polytechnic Institute" and State Institution “Institute of Technical Problems of Magnetism of the National Academy of Sciences of Ukraine” |
---|---|
Дата: | 2022 |
Автор: | |
Формат: | Стаття |
Мова: | English Ukrainian |
Опубліковано: |
National Technical University "Kharkiv Polytechnic Institute" and State Institution “Institute of Technical Problems of Magnetism of the National Academy of Sciences of Ukraine”
2022
|
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://eie.khpi.edu.ua/article/view/257784 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Репозиторії
Electrical Engineering & Electromechanicsid |
eiekhpieduua-article-257784 |
---|---|
record_format |
ojs |
spelling |
eiekhpieduua-article-2577842022-05-30T16:52:46Z Method of dynamic parameters for mathematical modelling of switching processes of valves closing of semiconductor converters Метод динамічних параметрів для математичного моделювання комутаційних процесів запирання вентилів напівпровідникових перетворювачів Vasyliv, K. M. вентиль комутація інверсний струм рівень адекватності математична модель програмний код valve switching inverse current adequacy level mathematical model software code A method has been developed for mathematical modeling of valve frequency converters (VFC) based on an analysis of the nature of the occurrence and patterns of the flow of inverse current of valves when they are locked using the dynamic parameters of valves, which are series-connected inductance and active resistance, changing in accordance with the pattern of concentration dynamics charges in semiconductor structures (bases, emitters and p-n junctions. Taking into account the presence of the inverse current of semiconductor valves significantly increases the level of adequacy of mathematical modeling of VFCs of arbitrary structure and purpose and in arbitrary modes of their operation, including asymmetric and emergency transient electromagnetic processes of electrotechnical complexes with VFCs, not only during the time interval of switching (closing) of valves, but throughout the entire time modeling. Розроблено метод математичного моделювання вентильних перетворювачів частоти (ВПЧ) на підставі аналізу природи виникнення і закономірностей протікання інверсного струму вентилів під час їх запирання застосуванням динамічних параметрів вентилів, якими слугують послідовно з’єднані індуктивність та активний опір, що змінюються відповідно до закономірності динаміки концентрації носіїв електричних зарядів в структурах напівпровідників (базах, емітерах та p-n переходах). Врахування наявності інверсного струму напівпровідникових вентилів істотно підвищує рівень адекватності математичного моделювання ВПЧ довільної структури і призначення та в довільних режимах їх роботи включно з несиметричними та аварійними перехідними електромагнітними процесами електротехнічних комплексів з ВПЧ не лише на проміжку часу комутації (запирання) вентилів, але й в продовж всього часу моделювання. National Technical University "Kharkiv Polytechnic Institute" and State Institution “Institute of Technical Problems of Magnetism of the National Academy of Sciences of Ukraine” 2022-05-30 Article Article application/pdf application/pdf http://eie.khpi.edu.ua/article/view/257784 10.20998/2074-272X.2022.3.05 Electrical Engineering & Electromechanics; No. 3 (2022); 28-38 Электротехника и Электромеханика; № 3 (2022); 28-38 Електротехніка і Електромеханіка; № 3 (2022); 28-38 2309-3404 2074-272X en uk http://eie.khpi.edu.ua/article/view/257784/254620 http://eie.khpi.edu.ua/article/view/257784/254621 Copyright (c) 2022 K. M. Vasyliv http://creativecommons.org/licenses/by-nc/4.0 |
institution |
Electrical Engineering & Electromechanics |
collection |
OJS |
language |
English Ukrainian |
topic |
вентиль комутація інверсний струм рівень адекватності математична модель програмний код valve switching inverse current adequacy level mathematical model software code |
spellingShingle |
вентиль комутація інверсний струм рівень адекватності математична модель програмний код valve switching inverse current adequacy level mathematical model software code Vasyliv, K. M. Method of dynamic parameters for mathematical modelling of switching processes of valves closing of semiconductor converters |
topic_facet |
вентиль комутація інверсний струм рівень адекватності математична модель програмний код valve switching inverse current adequacy level mathematical model software code |
format |
Article |
author |
Vasyliv, K. M. |
author_facet |
Vasyliv, K. M. |
author_sort |
Vasyliv, K. M. |
title |
Method of dynamic parameters for mathematical modelling of switching processes of valves closing of semiconductor converters |
title_short |
Method of dynamic parameters for mathematical modelling of switching processes of valves closing of semiconductor converters |
title_full |
Method of dynamic parameters for mathematical modelling of switching processes of valves closing of semiconductor converters |
title_fullStr |
Method of dynamic parameters for mathematical modelling of switching processes of valves closing of semiconductor converters |
title_full_unstemmed |
Method of dynamic parameters for mathematical modelling of switching processes of valves closing of semiconductor converters |
title_sort |
method of dynamic parameters for mathematical modelling of switching processes of valves closing of semiconductor converters |
title_alt |
Метод динамічних параметрів для математичного моделювання комутаційних процесів запирання вентилів напівпровідникових перетворювачів |
description |
A method has been developed for mathematical modeling of valve frequency converters (VFC) based on an analysis of the nature of the occurrence and patterns of the flow of inverse current of valves when they are locked using the dynamic parameters of valves, which are series-connected inductance and active resistance, changing in accordance with the pattern of concentration dynamics charges in semiconductor structures (bases, emitters and p-n junctions. Taking into account the presence of the inverse current of semiconductor valves significantly increases the level of adequacy of mathematical modeling of VFCs of arbitrary structure and purpose and in arbitrary modes of their operation, including asymmetric and emergency transient electromagnetic processes of electrotechnical complexes with VFCs, not only during the time interval of switching (closing) of valves, but throughout the entire time modeling. |
publisher |
National Technical University "Kharkiv Polytechnic Institute" and State Institution “Institute of Technical Problems of Magnetism of the National Academy of Sciences of Ukraine” |
publishDate |
2022 |
url |
http://eie.khpi.edu.ua/article/view/257784 |
work_keys_str_mv |
AT vasylivkm methodofdynamicparametersformathematicalmodellingofswitchingprocessesofvalvesclosingofsemiconductorconverters AT vasylivkm metoddinamíčnihparametrívdlâmatematičnogomodelûvannâkomutacíjnihprocesívzapirannâventilívnapívprovídnikovihperetvorûvačív |
first_indexed |
2024-06-01T14:40:14Z |
last_indexed |
2024-06-01T14:40:14Z |
_version_ |
1800670087228686336 |