The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n⁺CdS heterostructures
It is shown that the nSi-nCdS-n⁺CdS heterostructures in operative (carrying) direction of current, while being exposed to low intensity radiation, operate as injection photodiodes. Their current sensitivity is Sλ ≈ 2.12 A/W at λ = 0.625 µm, which effectively represents a 4.2 increase in compare...
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2013
|
| Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/100309 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n⁺CdS heterostructures / I.B. Sapaev // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 3. — С. 260–262. — Бібліогр.: 5 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-100309 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1003092016-05-20T03:03:05Z The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n⁺CdS heterostructures Sapaev, I.B. It is shown that the nSi-nCdS-n⁺CdS heterostructures in operative (carrying) direction of current, while being exposed to low intensity radiation, operate as injection photodiodes. Their current sensitivity is Sλ ≈ 2.12 A/W at λ = 0.625 µm, which effectively represents a 4.2 increase in compare to spectral sensitivity of the ideal photo receiver at small wavelength of irradiation. Показано, что гетероструктуры nSi-nCdS-n⁺CdS в пропускном направлении тока при малых уровнях освещения работают как инжекционный фотодиод. Они обладают токовой чувствительностью Sλ ≈ 2.12 A/W при λ = 0.625 µm, что в 4.2 раза превышает спектральную чувствительность идеального фотоприемника при этой длине волны излучения. Высокие значения Sλ обеспечивают высокую эффективность превращения световой энергии в электрическую при малых уровнях освещенности. Показано, що гетероструктури nSі-nCdS-n⁺CdS у пропускному напрямку струму при малих рівнях освітлення працюють як інжекційний фотодіод. Він має струмову чутливість Sλ ≈ 2.12 A/W при λ = 0.625 µm, що в 4.2 разів перевищує спектральну чутливість ідеального фотоприймача при цій довжині хвилі випромінювання. Високізначення Sл забезпечують високу ефективність перетворення світлової енергії в електричну при малих рівнях освітленості. 2013 Article The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n⁺CdS heterostructures / I.B. Sapaev // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 3. — С. 260–262. — Бібліогр.: 5 назв. — англ. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/100309 53.043;53.023;539.234. en Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
English |
| description |
It is shown that the nSi-nCdS-n⁺CdS heterostructures in operative (carrying) direction of current,
while being exposed to low intensity radiation, operate as injection photodiodes. Their current sensitivity
is Sλ ≈ 2.12 A/W at λ = 0.625 µm, which effectively represents a 4.2 increase in compare to spectral
sensitivity of the ideal photo receiver at small wavelength of irradiation. |
| format |
Article |
| author |
Sapaev, I.B. |
| spellingShingle |
Sapaev, I.B. The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n⁺CdS heterostructures Физическая инженерия поверхности |
| author_facet |
Sapaev, I.B. |
| author_sort |
Sapaev, I.B. |
| title |
The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n⁺CdS heterostructures |
| title_short |
The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n⁺CdS heterostructures |
| title_full |
The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n⁺CdS heterostructures |
| title_fullStr |
The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n⁺CdS heterostructures |
| title_full_unstemmed |
The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n⁺CdS heterostructures |
| title_sort |
injection photo diode on the basis of nsi-ncds-n⁺cds heterostructures |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| publishDate |
2013 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/100309 |
| citation_txt |
The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n⁺CdS heterostructures / I.B. Sapaev // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 3. — С. 260–262. — Бібліогр.: 5 назв. — англ. |
| series |
Физическая инженерия поверхности |
| work_keys_str_mv |
AT sapaevib theinjectionphotodiodeonthebasisofnsincdsncdsheterostructures AT sapaevib injectionphotodiodeonthebasisofnsincdsncdsheterostructures |
| first_indexed |
2024-03-30T08:49:09Z |
| last_indexed |
2024-03-30T08:49:09Z |
| _version_ |
1796148658531467264 |