Гетероструктурные полевые транзисторы как активные элементы приемных устройств для особо жестких условий эксплуатации

• Дата: 2014
• Автор: Королев, А.М.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Радіоастрономічний інститут НАН України 2014
• Назва видання: Радиофизика и радиоастрономия
• Теми: Электромагнитные явления в приборах, элементах и системах научного приборостроения
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/100337
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Гетероструктурные полевые транзисторы как активные элементы приемных устройств для особо жестких условий эксплуатации / А.М. Королев // Радиофизика и радиоастрономия. — 2014. — Т. 19, № 2. — С. 181-185. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Предложено использовать псевдоморфные полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов (PHEMT) как активные элементы высокоэкономичных микроволновых (1÷ 4 ГГц) усилителей, работающих в широком интервале окружающих температур. Экспериментальный усилитель функционирует в интервале температур от −...