Гетероструктурные полевые транзисторы как активные элементы приемных устройств для особо жестких условий эксплуатации
Предложено использовать псевдоморфные полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов (PHEMT) как активные элементы высокоэкономичных микроволновых (1÷ 4 ГГц) усилителей, работающих в широком интервале окружающих температур. Экспериментальный усилитель функционирует в интервале температур от −...
Збережено в:
| Дата: | 2014 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Радіоастрономічний інститут НАН України
2014
|
| Назва видання: | Радиофизика и радиоастрономия |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/100337 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Гетероструктурные полевые транзисторы как активные элементы приемных устройств для особо жестких условий эксплуатации / А.М. Королев // Радиофизика и радиоастрономия. — 2014. — Т. 19, № 2. — С. 181-185. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |