Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур

Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур

Представлены результаты исследования электрофизических свойств поликристаллических пленок кремния в структурах «кремний-на-изоляторе» и нитевидных кристаллов кремния в температурном диапазоне 4,2—70 К, полученные с помощью импедансных измерений в интервале частот от 10 Гц до 250 кГц. Показана возмож...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2014
Автори: Дружинин, А.А., Островский, И.П., Ховерко, Ю.Н., Корецкий, Р.Н.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2014
Назва видання:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Теми:
Материалы электроники
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/100465
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур / А.А. Дружинин, И.П. Островский, Ю.Н. Ховерко, Р.Н. Корецкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 5-6. — С. 46-50. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-100465
record_format dspace
spelling irk-123456789-1004652016-05-23T03:02:10Z Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур Дружинин, А.А. Островский, И.П. Ховерко, Ю.Н. Корецкий, Р.Н. Материалы электроники Представлены результаты исследования электрофизических свойств поликристаллических пленок кремния в структурах «кремний-на-изоляторе» и нитевидных кристаллов кремния в температурном диапазоне 4,2—70 К, полученные с помощью импедансных измерений в интервале частот от 10 Гц до 250 кГц. Показана возможность их использования в качестве элементов твердотельной электроники, работоспособных при криогенных температурах. Представлено результати дослідження електрофізичних властивостей полікристалічних плівок кремнію в структурах «кремній-на-ізоляторі» та ниткоподібних кристалів Si в температурному діапазоні 4,2—70 К, отримані за допомогою імпедансних вимірювань в діапазоні частот від 10 Гц до 250 кГц. Показано можливість їх використання як елементів твердотільної електроніки, працездатних при кріогенних температурах. Отримані імпедансні характеристики зразків вказують на можливість створення реактивних елементів твердотільної електроніки певних номіналів, придатних для роботи в умовах низьких температур, на основі полікристалічного і монокристалічного кремнію. На основі встановлених залежностей запропоновано окремі елементи твердотільної електроніки у вигляді ємнісних і індуктивних елементів та комплексну систему у вигляді коливального контуру, які працездатні при кріогенних температурах. Характеристики розробленої системи залежать як від структури зразків, так і від рівня їх легування, що дозволяє змінювати при необхідності параметри елементів в широких межах. The paper presents the study results of electrical properties of polycrystalline silicon films in silicon-on-insulator structures and Si whiskers in the temperature range of 4,2—70 K obtained by impedance measurements in the frequency range from 10 Hz to 250 kHz and the possibility of their use in solid-state electronics, functioning at cryogenic temperatures. Characteristics of samples obtained with impedance measurements allow to predict certain specifications of reactive elements of solid state electronics based on polycrystalline and single crystalline silicon, operable at low temperatures. Using the established dependencies, separate elements in the form of solid-state electronics capacitive and inductive elements as well as a combined system in an oscillatory circuit, operable at cryogenic temperatures, have been suggested. The features of developed system depend on the structure of samples and their doping level, which allows to change the required parameters of the elements of solid state electronics in a wide range. 2014 Article Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур / А.А. Дружинин, И.П. Островский, Ю.Н. Ховерко, Р.Н. Корецкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 5-6. — С. 46-50. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2014.2.46 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/100465 625.315.592 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Материалы электроники
Материалы электроники
spellingShingle Материалы электроники
Материалы электроники
Дружинин, А.А.
Островский, И.П.
Ховерко, Ю.Н.
Корецкий, Р.Н.
Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Представлены результаты исследования электрофизических свойств поликристаллических пленок кремния в структурах «кремний-на-изоляторе» и нитевидных кристаллов кремния в температурном диапазоне 4,2—70 К, полученные с помощью импедансных измерений в интервале частот от 10 Гц до 250 кГц. Показана возможность их использования в качестве элементов твердотельной электроники, работоспособных при криогенных температурах.
format Article
author Дружинин, А.А.
Островский, И.П.
Ховерко, Ю.Н.
Корецкий, Р.Н.
author_facet Дружинин, А.А.
Островский, И.П.
Ховерко, Ю.Н.
Корецкий, Р.Н.
author_sort Дружинин, А.А.
title Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур
title_short Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур
title_full Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур
title_fullStr Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур
title_full_unstemmed Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур
title_sort элементы твердотельной электроники на основе кни-структур и нитевидных кристаллов si для криогенных температур
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2014
topic_facet Материалы электроники
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/100465
citation_txt Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур / А.А. Дружинин, И.П. Островский, Ю.Н. Ховерко, Р.Н. Корецкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 5-6. — С. 46-50. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.
series Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv AT družininaa élementytverdotelʹnojélektronikinaosnoveknistrukturinitevidnyhkristallovsidlâkriogennyhtemperatur
AT ostrovskijip élementytverdotelʹnojélektronikinaosnoveknistrukturinitevidnyhkristallovsidlâkriogennyhtemperatur
AT hoverkoûn élementytverdotelʹnojélektronikinaosnoveknistrukturinitevidnyhkristallovsidlâkriogennyhtemperatur
AT koreckijrn élementytverdotelʹnojélektronikinaosnoveknistrukturinitevidnyhkristallovsidlâkriogennyhtemperatur
first_indexed 2024-03-30T08:49:53Z
last_indexed 2024-03-30T08:49:53Z
_version_ 1796148673430683648

Схожі ресурси