Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев
Исследована возможность повышения радиационной устойчивости кремниевых эпитаксиальных слоев за счет создания стоков радиационных дефектов в виде дислокационных сеток плотностью 10⁹—10¹² м⁻²....
Збережено в:
| Дата: | 2014 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2014
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/100467 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев / Ш.Д. Курмашев, О.А. Кулинич, Г.И. Брусенская, А.В. Веремьева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 5-6. — С. 57-62. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-100467 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1004672016-05-23T03:02:11Z Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев Курмашев, Ш.Д. Кулинич, О.А. Брусенская, Г.И. Веремьева, А.В. Материалы электроники Исследована возможность повышения радиационной устойчивости кремниевых эпитаксиальных слоев за счет создания стоков радиационных дефектов в виде дислокационных сеток плотностью 10⁹—10¹² м⁻². Досліджено можливість підвищення радіаційної стійкості кремнієвих епітаксійних шарів за рахунок створення стоків радіаційних дефектів у вигляді дислокаційних сіток щільністю 10⁹—10¹² м⁻². The authors investigate the possibility of increasing the radiation resistance of silicon epitaxial layers by creating radiation defects sinks in the form of dislocation networks of the density of 10⁹—10¹² m⁻². 2014 Article Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев / Ш.Д. Курмашев, О.А. Кулинич, Г.И. Брусенская, А.В. Веремьева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 5-6. — С. 57-62. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2014.2.57 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/100467 81.411 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Материалы электроники Материалы электроники |
| spellingShingle |
Материалы электроники Материалы электроники Курмашев, Ш.Д. Кулинич, О.А. Брусенская, Г.И. Веремьева, А.В. Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Исследована возможность повышения радиационной устойчивости кремниевых эпитаксиальных слоев за счет создания стоков радиационных дефектов в виде дислокационных сеток плотностью 10⁹—10¹² м⁻². |
| format |
Article |
| author |
Курмашев, Ш.Д. Кулинич, О.А. Брусенская, Г.И. Веремьева, А.В. |
| author_facet |
Курмашев, Ш.Д. Кулинич, О.А. Брусенская, Г.И. Веремьева, А.В. |
| author_sort |
Курмашев, Ш.Д. |
| title |
Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев |
| title_short |
Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев |
| title_full |
Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев |
| title_fullStr |
Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев |
| title_full_unstemmed |
Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев |
| title_sort |
повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2014 |
| topic_facet |
Материалы электроники |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/100467 |
| citation_txt |
Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев / Ш.Д. Курмашев, О.А. Кулинич, Г.И. Брусенская, А.В. Веремьева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 5-6. — С. 57-62. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT kurmaševšd povyšenieradiacionnojustojčivostikremnievyhmonokristalličeskihépitaksialʹnyhsloev AT kuliničoa povyšenieradiacionnojustojčivostikremnievyhmonokristalličeskihépitaksialʹnyhsloev AT brusenskaâgi povyšenieradiacionnojustojčivostikremnievyhmonokristalličeskihépitaksialʹnyhsloev AT veremʹevaav povyšenieradiacionnojustojčivostikremnievyhmonokristalličeskihépitaksialʹnyhsloev |
| first_indexed |
2024-03-30T08:49:54Z |
| last_indexed |
2024-03-30T08:49:54Z |
| _version_ |
1796148673645641728 |